當(dāng)前位置：
SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備
SIC單晶生長(zhǎng)設(shè)備
1、生長(zhǎng)反應(yīng)裝置中安裝有上、下2個(gè)溫度傳感器，可準(zhǔn)確計(jì)算出晶體生長(zhǎng)的最優(yōu)△T；
2、特殊的RF-Coil(加熱線圈)設(shè)計(jì)和電源供應(yīng)設(shè)備的完美結(jié)合，為晶體生長(zhǎng)提供穩(wěn)頻、穩(wěn)壓的電源；
3、特殊的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)8~10次的循環(huán)使用，降低生產(chǎn)成本；
4、晶體生長(zhǎng)全過(guò)程可達(dá)到自動(dòng)化及數(shù)據(jù)記錄和管理；
5、優(yōu)越的真空、氣體、冷卻水控制功能，可確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定、安全的晶體生長(zhǎng)。
SIC單晶生長(zhǎng)設(shè)備
1、生長(zhǎng)反應(yīng)裝置中安裝有上、下2個(gè)溫度傳感器，可準(zhǔn)確計(jì)算出晶體生長(zhǎng)的最優(yōu)△T；
2、特殊的RF-Coil(加熱線圈)設(shè)計(jì)和電源供應(yīng)設(shè)備的完美結(jié)合，為晶體生長(zhǎng)提供穩(wěn)頻、穩(wěn)壓的電源；
3、特殊的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)8~10次的循環(huán)使用，降低生產(chǎn)成本；
4、晶體生長(zhǎng)全過(guò)程可達(dá)到自動(dòng)化及數(shù)據(jù)記錄和管理；
5、優(yōu)越的真空、氣體、冷卻水控制功能，可確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定、安全的晶體生長(zhǎng)。
